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滨州肖特基二极管的应用常用解决方案【强元芯电子】

来源:强元芯电子 更新时间:2021-02-13 09:43:38

以下是滨州肖特基二极管的应用常用解决方案【强元芯电子】的详细介绍内容:

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MBR1045CT采用俄罗斯米克朗(Mikron)高抗冲击能力芯片;其高抗冲击性能尤为显著,框架材质为100%纯铜材料,黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料一次性浇铸成型;采用台湾健鼎的一体化测试设备,减少人工操作环节.在品质工艺上:二极管制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备,全程工艺由电脑控制,模具更为精密完全杜绝毛刺,外观光滑自然美观。

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肖特基(Schottky)二极管的特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要多做考虑。

另外,除了普通PN结二极管的特性参数之外,用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗(SBD施加额定本振功率时对特定中频所呈现的阻抗,一般在200Ω~600Ω之间)、电压驻波比(一般≤2)和噪声系数等。

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SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗,关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度,而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度,这是相矛盾的。因此,对势垒金属必须折衷考虑,故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说,Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC,故前者有更低的反向漏电流,而后者的正向压降较小。

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肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(材料)、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成。

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以上信息由专业从事肖特基二极管的应用的强元芯电子于2021/2/13 9:43:38发布

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